Новый 3 нм процесс TSMC увеличит плотность до 250 млн транзисторов на мм.
Представьте себе, что вы можете сжать кристалл процессора Pentium 4 до размера головки булавки, так вот, такое стало возможным. Компания TSMC сообщила, что ее будущий 3 нм технологический процесс позволит размещать 250 миллионов транзисторов на мм². Новый процесс придет на смену 5 нм линиям, которые уже начинают выходить на свои номинальные мощности.
Генеральный директор TSMC подтвердил, что разработка 3 нм техпроцесса уже идет полным ходом, а производство первых пластин запланировано на 2021 год, в то время как массовое производство начнется во второй половине 2022 года. Возможно, самым поразительным открытием является то, что TSMC решил придерживаться технологи FinFET для нового 3 нм процесса. Эксперты же считают, что использование данной технологии на техпроцессах меньше 5 нм потребуют серьезных инноваций с материалами и конструкциями. Хотя сама TSMC утверждает, что 3 нм процесс обеспечит повышение скорости на 10-15% при одновременном снижение мощности на 25-30%.