Samsung запускает решение следующего поколения – ультрабыстрый чип мобильной памяти высокой плотности LPDDR4, открывая дверь в эру 4 Гбайт мобильной DRAM-памяти для качественно нового уровня оперативности мобильных устройств.
Samsung объявила о старте массового производства первых в индустрии 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, произведенных по передовому 20-нанометровому технологическому процессу. Новый высокоэффективный чип мобильной памяти позволит продлить время работы батареи и ускорить загрузку приложений на мобильных устройствах с большим экраном и высоким разрешением. LPDDR – это наиболее широко распространенный тип оперативной памяти для мобильных устройств, который используется по всему миру.
Новый 20-нм 8-Гбит LPDDR4 чип обеспечивает вдвое большую производительность и плотность по сравнению с 4-Гбит LPDDR3 чипами класса 20-нм. Новый 8-Гбит LPDDR4 чип позволяет создать 4-Гбайт модуль LPDDR4.
Благодаря скорости ввода/вывода данных до 3200 мегабит в секунду, что в два раза быстрее, чем у стандартных DDR3 DRAM, используемых в ПК, новый 8-Гбит чип LPDDR4 может поддерживать запись и воспроизведение видео в формате UHD и непрерывную съемку в высоком разрешении более чем 20 мегапикселей.
Рабочее напряжение нового чипа LPDDR4 было снижено на 1,1В относительно чипов предыдущего поколения LPDDR3, что делает новый чип от Samsung решением мобильной памяти с наименьшим потреблением энергии, доступным для смартфонов и планшетов с большим экраном и высокопроизводительных систем. Например, при использовании 2-Гбайт модуля на основе 8-Гбит LPDDR4 вы можете сэкономить до 40 процентов энергии по сравнению с использованием 2-Гбайт модулем на основе 4-Гбит LPDDR3 за счет более низкого рабочего напряжения и более быстрой обработки.
Применив новую фирменную технологию swing-terminated logic (LVSTL) для передачи сигналов ввода/вывода, Samsung удалось снизить энергопотребление нового чипа LPDDR4 и обеспечить возможность проводить высокочастотные операции при низком напряжении для оптимальной энергоэффективности.
В этом месяце компания Samsung начала выпуск 2-Гбайт LPDDR4 и 3-Гбайт LPDDR4 модулей на основе 8-Гбит и 6-Гбит LPDDR4 соответственно, эти решения уже могут приобрести поставщики процессоров и производители мобильных устройств по всему миру, а в начале 2015 года Samsung начнет производство модулей 4-Гбайт LPDDR4.
Читайте также
Последние статьи
- TEAMGROUP выпустила память T-FORCE DELTA RGB DDR5 7200MHz
- Для геймеров и меломанов Edifier расширяет линейку наушников двумя беспроводными моделями
- TEAMGROUP и BIOSTAR представили память T-FORCE DELTA RGB DDR5 «Валькирия»
- Для геймеров и энтузиастов — новые коврики Bloody
- ASUS представила компьютерный корпус TUF Gaming GT502
Наиболее Комментируемые
Свежие комментарии
- zhorasmagin к записи Google Cardboard Plastic
- meghanfx69 к записи Google Cardboard Plastic
- gerald19 к записи Лучшие киберспортсмены выбирают Logitech
- liliaqy2 к записи Crave — Taking a spin on a real-life hoverboard
- itsukarin к записи Google Cardboard Plastic
Фото
- Обзор и тестирование материнской платы ASUS ROG Strix X299-E Gaming (0 Фото)
- Обзор и тестирование ASUS ROG Strix Z370-E Gaming (8 Фото)
- Обзор и тестирование материнской платы ASUS TUF Z370-PRO GAMING (0 Фото)
- Обзор и тестирование материнской платы ASUS ROG Strix Z370-I Gaming (0 Фото)
- Тест и обзор ASUS ROG Strix GTX 1070 Ti (7 Фото)