Южнокорейская компания Samsung официально объявила о начале массового производства микросхем памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбит по нормам 20-нм техпроцесса.

Стоит отметить, что новые чипы по производительности превосходят старые типа LPDDR2, выпускаемые по нормам 30-нм техпроцесса, на 30 процентов. При этом новая память потребляет на 20 процентов меньше энергии. Память типа LPDDR3 нацелена на смартфоны и планшеты. Она в несколько раз быстрее, чем память типа LPDDR2, 2133 Мбит/с против 800 Мбит/с.

Всего четыре микросхемы памяти типа LPDDR3, объединенных в корпусе толщиной 0,8 миллиметра, представляют собой модуль памяти объемом 2 Гбайта.