Компания Samsung разрабатывает 160-слойную 3D NAND Flash память.
Компания Samsung Electronics, как сообщается в последнем сообщении, начала разработку собственной памяти V-NAND 7-го поколения. Первая модель будет содержать не менее 160 слоев, а последующие модели будут содержать еще больше слоев. Первые 160-слойные V-NAND от Samsung должны появиться примерно к концу этого года, одновременно со 128-слойными 3D NAND от YMTC, китайской компании, которая также работает в этой области.
В основе сверхплотного 3D-стека лежит запатентованная технология Samsung Double Stack. Технология двойного стека создает электронные дыры в двух отдельных местах чтобы ток проходил через них одновременно. Для сравнения, чипы текущего поколения создают эти дыры только один раз за цикл. Ожидается, что 160-слойная флэш-память NAND обеспечит увеличение плотности на 67%, по сравнению с 96-слойными чипами. Однако помимо этого плотность может быть увеличена и с помощью других средств, например 5 нм техпроцесса.