The Taiwan Economic Daily утверждает, что TSMC совершила крупный внутренний прорыв в возможном развертывании 2 нм производственной линии. Согласно публикации, этот прорыв заставил TSMC еще более оптимистично настроиться на развертывание 2 нм мощностей в 2023 году. Это сообщение более чем впечатляет, учитывая сообщения о том, что TSMC отказывается от технологии FinFet в пользу нового MBCFET — многомостового канального полевого транзистора и технологии Gate-All-Around (GAA). Описываемый прорыв произошел через год после того, как TSMC собрала внутреннюю команду, целью которой было проложить путь к развертыванию 2 нм мощностей.
Технология MBCFET расширяет архитектуру GAAFET. За основу взят полевой транзистор Nanowire и расширен до нанолиста. Основная идея — сделать полевой транзистор трехмерным. Это позволит улучшить управление цепью и снизит ток утечки. Подобная философия дизайна не является эксклюзивной для TSMC, компания Samsung также планирует использовать подобную конструкцию в своем 3 нм техпроцессе.